Pamięć Serwerowa Samsung 8GB SO-DIMM DDR4-2666 CL19

Pamięć Serwerowa Samsung 8GB SO-DIMM DDR4-2666 CL19 to moduł zaprojektowany z myślą o stabilnej i powtarzalnej pracy w środowiskach profesjonalnych. Format SO-DIMM umożliwia zastosowanie w kompaktowych platformach, w tym serwerach i stacjach roboczych typu small form factor, które wymagają wysokiej gęstości upakowania komponentów.

Moduł bazuje na standardzie DDR4 z taktowaniem 2666 MHz i opóźnieniem CL19, co zapewnia optymalny kompromis między przepustowością a czasem dostępu do danych. Konstrukcja non-ECC UDIMM jest przeznaczona do systemów, które nie wymagają korekcji błędów na poziomie pamięci, ale oczekują przewidywalnych parametrów pracy i kompatybilności z nowoczesnymi platformami.

• Pojemność: 8 GB – umożliwia rozszerzenie pamięci operacyjnej w celu poprawy wydajności aplikacji serwerowych i wielozadaniowości.
• Typ: DDR4 non-ECC UDIMM – standardowa pamięć bez korekcji błędów, przeznaczona do systemów obsługujących moduły UDIMM.
• Format: SO-DIMM – kompaktowy rozmiar do zastosowań w obudowach o ograniczonej przestrzeni.
• Taktowanie: 2666 MHz – zapewnia wysoką przepustowość dla wymagających zadań obliczeniowych i przetwarzania danych.
• Opóźnienie: CL19 – zbalansowane timingi dla stabilnej pracy w trybie ciągłym.
• Liczba modułów w zestawie: 1 – elastyczność w rozbudowie konfiguracji pamięci.
• Gwarancja producenta: 24 miesiące – potwierdzenie wsparcia serwisowego w cyklu eksploatacji.

Zastosowanie pojedynczego modułu 8 GB pozwala na precyzyjne dostosowanie konfiguracji pamięci do wymagań konkretnej platformy, w tym systemów pracujących w trybie 24/7. Dzięki standardowi DDR4-2666 moduł może być integrowany z wieloma współczesnymi płytami głównymi obsługującymi ten typ pamięci, co ułatwia planowanie modernizacji lub rozbudowy istniejącej infrastruktury.

Produkt jest adresowany do użytkowników technicznych, administratorów systemów oraz integratorów, którzy oczekują przewidywalnych parametrów pracy, zgodności ze standardem DDR4 i możliwości skalowania pamięci operacyjnej w ramach dostępnych gniazd SO-DIMM.